NSF中心为纳米和微污染控制 伊根研究中心 raybet雷竞技亨廷顿大街360号02115年波士顿 电话:617.373.6012传真:617.373.3266 研究 我们的研究集中在基础表面清理和准备: 使用megasonics了解物理和化学清洗机制,刷子和其他技术,包括损伤评估和缓解 CMP和Post-CMP应用程序 清洁的EUV分划板 测量粒子粘附力 的纳米粒子 激光冲击清洁 高浓度臭氧清洗 超临界二氧化碳清洗 粒子生成、传输和沉积: 微粒污染低压流程(LPCVD、溅射、离子植入,等等)。 在晶圆污染处理 报告存档 微观研究中心报告2007 IUCRC描述的缺陷 IUCRC清洁的战壕 IUCRC污染运输 IUCRC_Mechanics CMP和Post-CMP IUCRC搅拌气分析仪 除IUCRC纳米粒子 IUCRC Post-CMP粘附去除 技术转让的演讲 建议存档 NSF IUCRC提议 二氧化碳清洗方案 CMP和Post-CMO清洁的机制 发现和描述的技术缺陷和污染物 开发一个基于MEMs微气体分析系统 为Post-CMP应用粒子粘附和删除 纳米和微尺度粒子去除 亚微米的物理清洗战壕,建模研究 薄膜沉积过程中污染物的运输 研究项目 出版物 介绍了半导体制造和控制污染问题