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说明多数和少数DOS的自旋态,各种带隙。

V的磁矩₃2 T显示非常低的时候,奈尔的峰值温度T_N= 600 k(嵌入)(H)显示线性H依赖和温度独立。果酱复审委员会91年,(2015)。

居里温度V-doped和Cr-doped某人₂Te₃拓扑绝缘体。(嵌入)极端QAHE的量子化。

在拓扑绝缘体磁

研究拓扑绝缘体(TI)的目标是向他们灌输磁性。以正确的方式这样做会导致半导体近超导,通过量子反常霍尔效应(QAHE)。图中显示极端QAHE电导率达到的量子化σ_yx= 0.9998e²/h。只有零场纵向电阻ρ_xx= 0.00013h/e。(C.-Z。常自然Matl 2015]

虽然我们观察到QAHE在非常低的温度下,我们最近的论文在《自然》杂志上(F。Katmis 2016]报告发现了一个方法来提高TI Bi的工作温度₂Se₃。而不是掺杂钛与磁性原子如上所示,交流磁场诱导在双层Bi₂Se₃/欧盟。在另一项研究中,磁交换也观察到类似的双层结构的拓扑绝缘体拉丁/欧盟“水晶”。(文学士学位艾瑟夫巴德复审委员会2015]

无间隙的低谷的时刻,自旋过滤半导体自旋电子学

自旋极化的电流在室温下的高效生产是自旋电子学的发展的基础。自旋极化的电流可以生成几个方面:通过一个未极化的电流通过一个铁磁接触,使用旋转走廊效应,通过弹道和热电子注入,通过使用自旋极化的材料,如half-metals,或使用自旋过滤材料。半金属和自旋过滤器(SF)材料特别适用于旋转喷油器基于磁隧道结(mtj)。然而,自旋注入器使用一个自旋过滤材料比较简单,因为它不需要磁性电极。

旋转无间隙的半导体(SGS)和自旋过滤材料(SFM)独特的属性合并多样化缺口半导体和磁性高居里温度。这种不寻常的组合的属性在赫斯勒化合物可能有优势在电子/磁性设备旋转传输和量子信息处理。新功能正准备利用一些新颖的和有价值的属性,尤其是在室温下。的一些独特的属性是:

(1)half-metallic高自旋极化(100%);

(2)承运人的灵活性允许代的自旋极化的孔;

(3)电压调谐自旋极化n类型/p类型转换;

(4)自旋极化的铁磁性材料零力矩;

(5)自旋过滤器。

这些迷人的赫斯勒材料生长在散装形式,但是高质量的薄膜的合成所必需的设备是很困难的。